我国顶尖半导体教授李爱珍，申请中科院院士被淘汰，不料2007年，她竟然摇身一变成为了美国科学院的外籍院士，面对记者采访，她淡然表示：感谢祖国的栽培！ 李爱珍出生于福建石狮一个华侨家庭，1958年从复旦大学化学系毕业后，直接进入中国科学院上海冶金研究所，从事半导体材料研究。起初专注稀土和稀有金属冶金，60年代转向化合物半导体单晶生长和高迁移率材料制备，70年代深入薄膜外延技术，推动微波器件和发光二极管应用。80年代初，她公派赴美国卡内基梅隆大学访问学者，师从米尔纳斯教授，系统掌握分子束外延技术，专注超晶格、量子阱和异质结纳米材料生长。回国后，她参与国产分子束外延设备研制，1983年在上海冶金研究所建立固态源分子束外延实验室，1989年设备验收成功，打破西方出口限制。 进入90年代，李爱珍转向中远红外量子级联激光器领域。1994年贝尔实验室发明这项技术后，她1995年组建课题组，在信息功能材料国家重点实验室攻关，使用气态源分子束外延优化磷化铟基结构，处理多量子阱界面缺陷和应力问题。2000年左右，课题组实现5至8微米波段半导体量子级联激光器运转，成为亚洲首个独立完成这项突破的团队。卓以和院士评价，这对中国贡献显著，国际上极少数实验室能做到。她的工作涉及稀土、化合物半导体材料与器件，获国家发明奖1项、国家科技进步奖4项、省部级奖16项，发表论文逾200篇，授权专利多项。 从1999年起，李爱珍多次参与中国科学院院士增选，由多名院士联名推荐，包括王占国、吴德馨、秦国刚、干福熹、阙端麟、邹世昌、郭景坤等。推荐材料详列她在分子束外延、量子结构器件、国家863计划电子光子材料专题的贡献。但她在1999年、2001年、2003年、2005年四次申请中，均在第一轮评审未通过，未进入后续候选名单。有观点认为，年龄因素是障碍，超过65岁需至少6位院士联名；也有人指出，成果归类到器件组，评审者对半导体材料价值评估存在偏差；还有说法称研究方向相对冷门，评选注重年轻化。她收到落选通知后，继续专注实验室工作，没有公开抱怨。 2007年5月1日，美国国家科学院公布新一届院士名单，李爱珍列入18名外籍院士。她事先不知情，由国际同行提名，成为首位获此殊荣的中国女科学家，也是唯一无中国科学院院士身份的入选者。中国共有11人当选美国国家科学院外籍院士，她是其中特例。消息公布后，研究所收到各方祝贺。她在接受采访时表示，感谢祖国的栽培。 当选后，李爱珍拒绝国外优厚邀请，继续在中国科学院上海微系统与信息技术研究所工作。退休后，她坚持每日到实验室，指导年轻研究人员分析数据、优化外延参数。2003年她当选亚洲太平洋材料科学院院士，2004年获第三世界科学院工程科学奖。她参与中红外光电器件后续项目，推动探测器和激光器进展，直至高龄仍关注实验室方向和设备运转，用实际行动支撑国内半导体材料进步。
