【半导体设备】两存上市扩产在即，国产半导体设备订单增长有望超预期 看好两存敞口较高的设备商（新签订单两存占比）：北方华创（30-40%）、中微公司（70%）、拓荆科技（65%）、微导纳米（80%+）、迈为股份（70%）。 两存上市扩产在即，看好设备国产化率提升。 长存三期（武汉）集成电路有限公司于9月5日成立、7月7日国产DRAM内存龙头长鑫存储正式启动上市征程；寒武纪和海光最新财报当中的营业收入和出货量也侧面反应了中芯国际先进逻辑产能的良率正在提高。我们认为国产半导体设备自身迎来历史性发展机遇，26年将会开启确定性强的扩产周期，设备全行业订单增速或超过30%，有望达到50%+。 受供需关系影响，全球存储涨价超预期。 2025年10月全球存储芯片市场持续涨价，三星、SK海力士等头部厂商宣布第四季度DRAM合同价最高上调30%，NAND闪存合同价上调5%-10%。一方面AI驱动需求爆发，AI服务器对高性能存储（如HBM、DDR5）需求激增，挤压传统DRAM产能，导致DDR4等产品供应紧张；另一方面DRAM库存周期从2023年的31周降至2025年10月的8周，原厂削减DDR4产能转向高利润的HBM和DDR5。 美光财报超预期并给出强劲指引。 美光发布26Q1业绩（截止2025年11月27日），营收136.4亿美元，GAAP净利润为52.4亿美元，EPS4.60美元，超市场预期。价格方面，DRAM价格环比增长约20%，NAND价格环比增长约15%。公司指引FY26Q2营收中值预计为189亿美元，eps中值为8.29美元，均超市场预期。同时公司上调对于FY26capex指引至200亿美元（前次180亿），并向FY26下半年倾斜，用于进一步扩张产能。 风险提示：下游扩产速度不及预期，设备国产化进程不及预期。
