最近内存价格暴涨暴跌，学习下DARM内存相关知识刚新闻说，停产的DDR4内存价格

最近内存价格暴涨暴跌，学习下DARM内存相关知识

刚新闻说，停产的DDR4内存价格涨了10多倍，最近暴跌了20%。而三星、海力士生产面向AI的DDR。

DDR就是Double Date Rate，时钟信号的上升沿和下降沿都能传输数据，比传统SDR内存速度翻倍。DDR1是2000年出来的，2.5V电压，速率每秒200-400MT，MT是指百万次传输。2004和2008年DDR2和DDR3出来，速率每次都翻倍，电压1.8V、1.5V。电压下降的作用就是功耗与发热，平方关系。电压降了，频率才能翻倍上升，不然热爆了。

到DDR3是30-40nm工艺，要推进到20nm一堆技术问题。又碰上2008金融危机内存价格大跌商家没有动力开发，直到2015年DDR4才出来。业界去做NAND内存支持手机存储。DDR3搞了很长时间不断降本，后来8GB单条约200元。

技术上来说，做DDR4的20nm，当时EUV光刻机还不成熟，干式DUV光刻机不行，需要浸润式，还需要LELE/SADP多重曝光才能193nm光源实现20nm级分辨率。这些就是中国最近搞的工艺突破，没有EUV就只能打磨细节。注意内存的制程和逻辑芯片的不是一回事。DDR4到2026年就基本停产了。

DDR5是2021年出来，电压1.1V，速率4800-8400 MT/s，一代代的标准就是内存速度翻倍。革命性进步是用EUV光刻机工艺简单多了，良率高、成本低。只有长鑫继续用DUV光刻机做DDR5，但16nm就下不去了，外国用EUV的做10nm甚至更低。这导致长鑫的DDR5只能做中低端PC和服务器，而HBM、高频DDR5高端市场被三星、海力士、美光三巨头垄断。

智能手机出来后功耗是关键，就发展出LPDDR内存，Low power。当时是DDR3功耗过高，LPDDR系列被迫独立发展，相当于PC一套电压，手机一套电压。后面LPDDR4X、LPDDR5、LPDDR5X电压是0.6V、0.5V。

AI需求爆发后，要求极高的内存速率与大容量，HBM内存、高频DDR5成为业界焦点，一堆新技术。HMB3E传输速度1.2TB/s是DDR5的20倍。HBM市场规模2026年要500亿美元，2028年要1000亿美元。内存生产商必然会去搞这些AI用内存，产能紧缺，导致内存供应紧张，市场囤货价格暴涨暴跌。

现在芯片业技术进步与内存的关系极大，芯片制造工艺都有不少革命。以前CPU是焦点，现在不提了。但基本都需要EUV光刻机，中国被卡得厉害，勉强想办法跟技术，差距越拉越大。长鑫2027年看能不能量产HBM3，等于用DUV把DDR5、LPDDR5X、HBM都做了。后面还能再想办法，但还是很需要EUV光刻机。看DRAM内存，能真实感觉到EUV光刻机与技术进步的关系。