12月31日，据环球网报道，三星与SK海力士获美国批准，2026年可向中国出口芯

12月31日，据环球网报道，三星与SK海力士获美国批准，2026年可向中国出口芯片制造设备，标志着美国对华芯片出口管制出现阶段性调整。 此前，两企受益于美国“经验证最终用户（VEU）”制度，可豁免单独申请进口半导体管制物项。2025年8月，美国撤销其在华工厂VEU豁免，引发供应链担忧；此次年度许可证填补政策空白，完成从“VEU豁免”到“年度审批制”的过渡。 新政策核心是“管控与松绑并存”：许可仅限现有产能维护，禁扩产及HBM、先进存储等技术升级；许可证有效期1年，企业需提前提交设备进口计划经美商务部审批。该模式管控强于VEU豁免，但比逐批审批灵活，既遏制技术外流，又规避供应链中断风险。 对两企而言，短期利好显著：三星西安NAND产能占全球35%-40%，SK海力士无锡DRAM产能占全球40%，许可保障产线正常运营、避免产能中断，推动股价小幅上扬。但长期来看，年度审批增加合规成本、限制技术迭代，将影响其在华投资决策。 对中国市场，短期可稳定存储芯片供应、缓解供需失衡，但本土芯片企业未获同等待遇，先进技术合作仍受约束；同时也为中微公司、北方华创等本土设备厂商，提供了成熟制程进口替代机遇。 美国此次调整是多重利益权衡的结果：既坚守科技竞争诉求、严控先进技术外流，又避免韩企产能中断引发全球存储市场波动，同时安抚盟友、维护美韩科技合作。 2026年需关注三大关键：首批设备进口清单审批细节、韩企在华投资调整、本土设备厂商技术突破与市场渗透，这些将直接影响中国半导体产业自主化进程。 美国此次调整并非全面放松管制，而是“分层管控、精准打击”策略的深化，“控先进、稳供应”将成常态。中国唯有推进核心技术自主创新、加速产业链自主可控，才能掌握国际科技竞争主动权。