万万没想到！台积电董事长魏哲家在东京跟日本首相高市早苗见了面，当场扔出一个重磅炸弹：台积电在日本的熊本二厂，不搞之前说的那些成熟制程了，直接上3纳米！ 台积电原计划在熊本第二工厂投资122亿美元，生产6至12纳米芯片，针对中端市场应用，如电信设备和消费电子。但2026年2月5日，魏哲家与高市早苗会晤后宣布调整为3纳米工艺，投资额增至170亿美元。 这一升级源于人工智能芯片需求激增，英伟达和AMD等客户订单已延伸至2028年，现有产能难以满足。3纳米工艺采用FinFET结构，晶体管密度比5纳米高70%，功耗降30%，性能升15%，适用于高性能计算和数据中心。日本政府提供1.2万亿日元补贴，覆盖建设近半成本，并协调索尼、丰田等企业本地采购。 台湾本土虽掌握先进技术，但电力供应不稳和水资源紧张限制扩产，3纳米工厂耗电量巨大，相当于数万户家庭总和。客户要求供应链地理多元化，避免集中风险。日本在上游材料如光刻胶和硅晶圆领域占有全球领先份额，提供高效协作环境。 这一决定使日本半导体制造能力从落后世代跃升至前沿，首次实现3纳米量产。相比之下，美国亚利桑那工厂因劳工纠纷和成本超支延期，欧洲项目进展缓慢。日本行政效率和产业链完整性成为吸引因素。 台积电这一转变反映全球半导体格局调整，人工智能产业从2024年起爆发，带动高端芯片需求翻倍增长。公司需平衡客户避险需求与本土资源瓶颈。日本借此机会强化经济安全，扶持本土2纳米研发，同时引进外资加速能力提升。熊本第二工厂预计2027年底量产，初期月产能目标6万片晶圆，主要供应AI服务器和智能手机芯片。
