对于“卡脖子”的芯片制造三大核心装备及材料:光刻机、离子注入机、刻蚀机、光刻胶，国产化采取了相当聪明的策略。科研团队没有一味死磕EUV光刻机的“卡脖子”难题，而是先拿下成熟制程的“基本盘”。很多人觉得“只有7nm、5nm才是技术高地”，但2025年的数据揭露真相：90nm-28nm成熟制程占全球芯片市场份额的60%以上，而这正是国产设备的“主要突破口”。近日，一条重磅消息：中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束。核心装备之一国产离子注入机研发成功，核心指标达到国际先进水平。意味着我们已经攻克了功率半导体制造链中的关键环节。光刻机方面，上海微电子的工程师团队花了8年时间，反复优化90nm机型的稳定性，仅透镜校准就做了上万次实验，最终在成熟制程市场站稳脚跟；而成熟制程的营收反哺，又为高端设备研发提供了资金支持，形成了良性循环。如今，上海微电子的90nm光刻机已稳定服务产线，28nm浸没式机型进入内部测试，覆盖传感器、功率器件等刚需场景；高端EUV光刻机仍处研发阶段，但中科院联合长春光机所已突破300瓦EUV光源技术，已经达到了商业化门槛。刻蚀机的整体国产化率为20%-30%，为三大设备中最高；中微公司5nm制程刻蚀机实现量产，北方华创的电容耦合等离子体刻蚀设备获批量订单，已进入国内头部逻辑与存储厂商产线。中微公司2025年推出“Primo UD-RIE®”极高深宽比刻蚀机，适配3D存储器、先进逻辑器件，打破了国外在高端刻蚀领域的垄断。光刻胶方面，中低端光刻胶（G线、I线）已实现规模化供应，满足成熟制程需求；高端ArF/EUV胶仍处客户验证期，整体国产化率不足10%，相对来说是产业链短板，目前还在积极攻克中。成熟制程不是过渡，而是国产设备的基本盘，稳住了基本盘的同时再向上攻。
