我国成功研发全新架构闪存芯片。 我国科研团队成功研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，这将如何改变数据存储行业？我国科研团队成功研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，标志着我国在存储技术领域取得了重大突破。这一创新成果不仅解决了传统闪存速度慢的问题，还打破了存储器速度与能耗之间的平衡限制。 复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室的周鹏-刘春森团队通过将二维超快闪存器件与成熟硅基CMOS工艺深度融合，克服了二维材料与CMOS电路集成的技术难题，使芯片集成良率达到94.3%，远超行业平均水平。 这种新型芯片有望在未来3D应用层面带来更广阔的发展空间，尤其是在人工智能领域，有望直接替代现有的Flash闪存技术，显著降低成本和功耗。这一突破性进展不仅展示了我国在高科技领域的实力，也为全球数据存储行业带来了新的机遇和挑战。
