南亚科面向AI启动3Ddr­am研发！存储器厂商南亚科与IC设计厂商钰创共同

南亚科面向AI启动3D dr­am研发！

存储器厂商南亚科与IC 设计厂商钰创共同宣布，合资成立AI 存储器设计服务公司。南亚科与钰创将分别以 80:20 股权比例原则，共同投资合资公司新台币5亿元，公司总部设于新竹市。

此次合资的主要目的是为了应对快速发展的AI边缘运算市场，双方将结合各自的资源与专业技术，利用南亚科的先进制程和产能，提供高附加价值、高效能、低功耗的客制化超高频宽存储器（HBM）解决方案，进一步拓展AI边缘运算的多元应用商机。

相关的高频宽存储器产品预计将于2025年开始上涨，并且非AI应用市场目前约占整体存储器市场的90%。随着AI边缘装置对高速存储器的需求不断增加，南亚科也在积极布局，期望在2026年底前推出针对AI PC、手机、机器人及汽车等终端应用的新HBM产品系统。

南亚科总经理李培瑛表示，HBM的研发需要具备高密度设计、3D IC多芯片封装、高频宽设计及逻辑基础裸晶等四大能力。此次与钰创的合作，将有助于填补南亚科在逻辑基础裸晶方面的技术缺口，进一步强化其在AI存储器市场的竞争力。