一、存储芯片：国产替代+技术升级双主线
核心环节标的强化
- 设备/材料（自主化关键）：北方华创（刻蚀+薄膜沉积双核心）、中微公司（3D NAND刻蚀全球领先）、拓荆科技（PECVD打破国外垄断）、安集科技（抛光液适配存储先进制程）
- 设计/制造（产能+性能核心）：兆易创新（NOR Flash市占率全球前三，DRAM加速突破）、中芯国际（14nm FinFET支撑存储代工，28nm成熟制程量产稳定）、澜起科技（DDR5内存接口芯片市占率超50%）
- 封装/配套（终端落地保障）：长电科技（XDFOI Chiplet封装适配存储高密度需求）、深南电路（存储服务器PCB龙头，高频高速性能领先）
核心逻辑：3D NAND与DDR5迭代推动需求，国产替代从成熟制程向先进制程渗透，政策支持+产能扩张加速突破。
二、射频芯片：5G+物联网+车载三重驱动
核心环节标的强化
- 芯片设计（技术壁垒最高）：卓胜微（射频开关全球市占率超15%，车载射频突破）、国博电子（射频功放国内基站市占率第一，军工+5G双轮驱动）
- 模组/配套（终端集成关键）：信维通信（LCP天线+滤波器一体化模组，适配折叠屏+车载）、武汉凡谷（5G滤波器市占率全球领先，Massive MIMO技术领先）
- 材料/结构件（性能保障）：旷达科技（射频导热材料适配高功率场景）、安洁科技（车载射频精密结构件突破特斯拉供应链）
核心逻辑：5G基站扩容+物联网设备爆发+车载射频需求增长（智能驾驶需多频段通信），国产替代从消费电子向高端基站、车载领域延伸。
三、新增高潜力标的（补全产业链缺口）
- 存储端：江波龙（存储模组龙头，覆盖消费+工业+车规级）、普冉股份（NOR Flash细分龙头，低功耗适配物联网）
- 射频端：唯捷创芯（射频前端模组，5G手机渗透率提升）、德科立（光模块+射频器件，通信设备配套）
