国产半导体装备重大突破
2025年8月,璞璘科技首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备已顺利通过验收并交付。 可支持线宽小于10nm的纳米压印光刻工艺,已超越佳能的FPA-1200NZ2C。
纳米压印技术可降低60%的设备投资成本,并将耗电量控制在EUV技术的10%。佳能提供NIL产品线,东芝是他们的早期客户之一,应用于NAND闪存的生产。
1995年,华裔科学家周郁(Stephen Chou)教授首次提出纳米压印概念。 2003年,纳米压印作为一项微纳加工技术,被纳入国际半导体技术蓝图(ITRS)。 2009年,美国从事纳米压印基础技术研发的Molecular Imprints公司(MII)曾规划将NIL技术用于32nm逻辑节点生产制造。 2014年,佳能收购了MII,将其更名为Canon Nanotechnologies,从而进入NIL市场。
国内也有不少厂商在纳米压印赛道上加紧布局,如青岛天仁微纳、苏州苏大维格、歌尔股份、苏州光舵微纳、昇印光电、新维度微纳、埃眸科技等。