自研碳化硅芯片需要海量投入，器件的出货量越大，越能对投入的成本进行有效分摊。
所以，自研碳化硅可以省钱的前提是，碳化硅MOSFET可以在电动汽车中大规模地替代IGBT器件。
按照之前的共识，电动汽车领域只存在碳化硅电驱和IGBT电驱两种形式，碳化硅电驱和IGBT电驱的成本差距越大，自研碳化硅芯片的收益就越大。
但是，这种逻辑在去年下半年开始迎来了巨大的冲击，因为被价格战搞得欲生欲死的电动车企们提出了一种成本更低而效率损失并不那么明显的混合电驱方案，即将碳化硅和IGBT并联。
之所以这种混合方案的效率损失不是那么明显，是因为IGBT和碳化硅MOSFET具有不同的输出特性曲线。
简单来说就是，当电流较小时，碳化硅MOSFET具有更小的导通损耗，当电流较大时，IGBT的导通损耗更小。
换言之，碳化硅并非在所有的工况下都具有碾压性的优势！新能源大牛说
