国产EUV光刻机双核突破：LDP光源+纳米级工件台强力冲击ASML壁垒
一、光源技术：LDP路径避开专利壁垒
华为与哈工大共同研发的激光诱导放电等离子体（LDP）光源，运用固体脉冲激光器直接电离锡蒸气以生成等离子体，从而产生13.5nm极紫外光。相较于ASML的激光轰击锡液滴（LPP）技术：
效率提高：能量转换率达到3.42%，是ASML方案的2.25倍，每小时能够处理250片晶圆（ASML仅为195片）；
结构精简：省却激光放大环节，功耗降低40%，体积减小30%；
专利规避：LDP技术路线完全绕开了ASML的LPP核心专利壁垒。
二、双工件台：华卓精科突破纳米级精度
双工件台是光刻机高速运行的“底盘”，需要在7倍重力加速度下维持2nm定位精度（头发丝的三万分之一）：
- 技术途径：华卓精科在2016年首次打破ASML的垄断，采用气浮导轨+激光干涉仪进行实时校准，运动控制误差小于5nm；
- 量产适配：2025年推出DWSi系列工件台，与28nm浸没式光刻机适配，2026年将升级至EUV级，定位精度可达0.1nm。
三、产业链协同：光源 - 工件台 - 整机闭环
光源端：哈工大提供LDP模块，波长光电配套光学检测器件；
运动系统：华卓精科工件台整合汇成真空镀膜技术，镜面涂层可耐高温等离子体腐蚀；
整机组装：华为东莞基地完成光路校准与系统集成，试产线良率突破70%。
量产时间表：2026年将量产首台国产EUV光刻机，成本仅为ASML设备的1/3，为3nm麒麟芯片流片提供支撑。中国光刻技术
（本文综合自：哈工大LDP实验数据；华卓精科工件台技术白皮书；华为东莞试产线良率报告。）
![深夜传来天大的好消息：5nm产线调通，即将批量生产[666]之前3月份来自半导](http://image.uczzd.cn/16242700508479272415.jpg?id=0)
童心未泯
雄起，听说已在某存储厂商产线跑通，良率70%，期待正式官宣。
我思故我在 回复 06-23 20:10
那是10nm的线
额
真的吗、真的吗、真的吗？ 要是真的那简直太激动了[哭笑不得]窝囊气真的是受够了[大哭]
用户17xxx01
汉军威武[点赞][点赞][滑稽笑][滑稽笑]
我心飞扬
加油💪
不停奔跑
我就一个疑问，这些事儿小编咋知道的？
向往V星空 回复 06-23 23:34
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