据三星证券称,CXMT将在 16nm 上推出 HKMG,为了改善栅极泄漏电流,利用高K介质材料代替常规栅氧SiON和金属栅代替多晶硅栅的工艺称为HKMG工艺技术。 中微的新蚀刻工具与国际供应商相媲美,Lead Micro、北方华创宣布他们已经为 HKMG 开发了 ALD 和 CVD 设备(9 个月前)存储器领域进展迅速。

据三星证券称,CXMT将在 16nm 上推出 HKMG,为了改善栅极泄漏电流,利用高K介质材料代替常规栅氧SiON和金属栅代替多晶硅栅的工艺称为HKMG工艺技术。 中微的新蚀刻工具与国际供应商相媲美,Lead Micro、北方华创宣布他们已经为 HKMG 开发了 ALD 和 CVD 设备(9 个月前)存储器领域进展迅速。

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