台积电 3nm 天玑芯片成功流片，预计明年量产 联发科与台积电共同宣布，联发科首款采用台积电 3nm 制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功流片，预计将在明年量产。 据介绍，台积电公司的 3nm 制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。 相较于 5nm 制程，台积电 3nm 制程技术的逻辑密度增加约 60%，在相同功耗下速度提升 18%，或者在相同速度下功耗降低 32%。 联发科首款采用台积 3nm 制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市。
